MiniLab-30S PVD 薄膜沉積系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域:
該系統(tǒng)可用于開(kāi)發(fā)納米級(jí)的單層及多層功能膜和復(fù)合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué) 反應(yīng)膜等。
螺紋孔基片盤:
基本配置:
◆真空腔室:350×400mm 不銹鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理;腔室底板,頂部和側(cè)面裝有腔室內(nèi)硬件接口;前 門上配直徑 80 玻璃觀察窗(含手動(dòng)防污染擋板、可拆洗防污玻璃);腔體可選擇水冷。
◆抽氣系統(tǒng): 采用復(fù)合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作為真空抽氣系統(tǒng); 主抽泵:分子泵抽速≥ 600L/S,氮?dú)鈮嚎s比≥ 109 ; 前級(jí)泵:VRD-24 機(jī)械泵及電磁閥,抽速:6L/S 主抽閥: CCD-150 超高真空電動(dòng)插板閥
* 真空系統(tǒng)可以升級(jí)為進(jìn)口分子泵和渦旋干泵。
◆真空測(cè)量:數(shù)顯復(fù)合真空計(jì): “兩低一高”全量程數(shù)顯復(fù)合真空計(jì);
* 真空測(cè)量可以升級(jí)為進(jìn)口全量程冷陰極真空計(jì)
◆極限真空:<5×10-5Pa ◆恢復(fù)真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min)
◆磁控濺射靶:(最多安裝三個(gè)磁控濺射靶)磁控濺射靶磁路模塊化設(shè)計(jì);磁控靶可手動(dòng)調(diào)節(jié)濺射角度,靶與基片的距離可調(diào); 其中一個(gè)靶位可濺射磁性材料(如鎳或鐵等)靶材大小為直徑 50.8mm,建議厚度≤ 5mm,靶材利用率超過(guò) 40%;
◆鍍膜方式:由下往上濺鍍或從上往下濺射,可依需求采用 Confocal(共焦)或 Face-to-Face(面對(duì)面);
◆濺射電源: 射頻電源:功率 300W,輸出頻率:13.56MHz,全自動(dòng)匹配 數(shù)量:1 臺(tái) 直流電源:最大輸出功率:500W;輸出電壓:0 ~ -800V 可調(diào) 數(shù)量:1 臺(tái)
◆工藝氣路(可選):三路質(zhì)量流量計(jì)控制的氣路(Ar、O2、N2 )等
◆樣品臺(tái):可容納樣品最大尺寸:4 英寸樣品托一個(gè) , 配擋板,轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 樣品可加熱控溫, 溫度范圍:室溫 -600℃,控溫精度 ±0.5℃; ◆系統(tǒng)控制:15 英寸觸摸屏 +PLC 控制(可選手動(dòng)按鈕)
選擇配置:
◆樣品臺(tái)可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控溫
◆可選進(jìn)口濺射電源
◆磁控靶可選用歐美知名品牌
◆全量程真空計(jì) (Inficon)
◆電容式隔膜真空計(jì) ( 測(cè)量濺射工作壓力 )
◆樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅,基片盤上有螺紋孔。
系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置:
◆工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上
◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮?dú)?nbsp;
◆電 源 : 單相 220V, 50Hz, 32A
◆冷 凍 水 :18-25℃ , 3L/min,壓力 <0.4MPa