MiniLab-60S PVD 薄膜沉積系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域:
系統(tǒng)可用于開發(fā)納米級的單層及多層功能膜和復(fù)合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué)反應(yīng)膜等。
四靶共聚焦濺射:
基本配置:
◆真空腔室: D 型圓筒形,尺寸約 ф450×H450mm,前開門結(jié)構(gòu);采用鉸鏈、鋁制前門,手動,上下 2 個杠桿把手,膠圈密封, 腔體內(nèi)表面采用電解拋光處理;外表面采用拉絲拋光,無擦傷及劃痕。
◆抽氣系統(tǒng):采用復(fù)合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作為真空抽氣系統(tǒng); 主抽泵:分子泵抽速≥ 1200L/S,氮氣壓縮比≥ 109 ; 前級泵:VRD-30 機(jī)械泵及電磁閥,抽速:8L/S 主抽閥: CCD-200 超高真空電動插板閥
* 真空系統(tǒng)可以升級為進(jìn)口分子泵和渦旋干泵。
◆真空測量: 數(shù)顯復(fù)合真空計: “兩低一高”全量程數(shù)顯復(fù)合真空計; 自動恒壓采用進(jìn)口薄膜壓強(qiáng)真空規(guī)測量,范圍:13Pa-0.013Pa(可選擇配置)
* 真空測量可以升級為進(jìn)口全量程冷陰極真空計
◆極限真空:<5×10-5Pa
◆恢復(fù)真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min)
◆磁控濺射靶:(最多四支 2&3 英寸磁控濺射靶)磁控濺射靶磁路模塊化設(shè)計;磁控靶可手動調(diào)節(jié)濺射角度,靶與基片的距 離可調(diào);其中一個靶位可濺射磁性材料(如鎳或鐵等)靶材大小為直徑 50.8mm,厚度≤ 5mm,靶材利用率超過 40%;
◆鍍膜方式:由下往上濺鍍或從上往下濺射,可依需求采用 Confocal(共焦)或 Face-to-Face(面對面);
◆濺射電源(可選配置): 射頻電源: 功率 500W,輸出頻率:13.56MHz,全自動匹配 數(shù)量:1 臺 直流濺射電源:最大輸出功率:500W;輸出電壓:0 ~ -800V 可調(diào) 數(shù)量:2 臺
◆工藝氣路:三路質(zhì)量流量計控制的氣路(Ar、O2、N2 )等
◆樣品臺:可容納樣品最大尺寸:6 樣品托一個 , 配擋板, 轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 樣品可加熱控溫, 溫度范圍:室溫 -600℃,控溫精度 ±0.5℃;
◆控制單元:15 英寸觸摸屏 +PLC 控制(可選手動按鈕)
選擇配置:
◆樣品臺可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控溫 ◆可選進(jìn)口濺射電源
◆磁控靶可選用進(jìn)口知名品牌
◆全量程真空計 (Inficon)
◆電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力 )
◆樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅,基片盤上有螺紋孔
系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置:
◆工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上
◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣
◆電 源 : 三相 380V, 50Hz, 32A
◆冷 凍 水 :18-25℃ , 6L/min,壓力 <0.4MPa