MiniLab-125 PVD 薄膜沉積系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域:
電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚 度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。
基本配置:
◆真空腔室:500mm×650mm 不銹鋼 D 形腔體。前門鉸鏈方便真空室清理;腔室底板,頂部和側(cè)面裝有腔室內(nèi)硬件接口; 前門上配直徑 80 玻璃觀察窗(含手動(dòng)防污染擋板、可拆洗防污玻璃);腔體水冷。
◆抽氣系統(tǒng):采用復(fù)合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作為真空抽氣系統(tǒng); 主抽泵:分子泵抽速≥ 1200L/S,氮?dú)鈮嚎s比≥ 109 ; 前級(jí)泵:VRD-30 雙極旋片泵及電磁閥,抽速:8L/S 主抽閥:CCQ-200 超高真空氣動(dòng)插板閥
* 真空系統(tǒng)可以升級(jí)為進(jìn)口分子泵和渦旋干泵。
◆真空測量: 數(shù)顯復(fù)合真空計(jì): “兩低一高”全量程數(shù)顯復(fù)合真空計(jì);
* 真空測量可以升級(jí)為進(jìn)口全量程冷陰極真空計(jì)
◆極限真空:<5×10-5Pa ◆恢復(fù)真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min)
◆電子束蒸發(fā)源:電子槍采用磁流體密封,安裝在腔室底部靠中心位置。 高壓電壓:DC-3KV ~ -10KV(可設(shè)) 最大電流:0-1000mA(此時(shí)的加速電壓是 -10kV) 最大加速功率:10KW;電子束偏轉(zhuǎn)角:270°(永磁鐵)
◆坩堝:配直徑 160mm 6 穴直冷坩堝一套,電動(dòng)轉(zhuǎn)位和點(diǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)位,定位精準(zhǔn)。單穴容量≥ 20cc
◆薄膜鍍層控制儀: Inficon SQC-310 在線測量膜厚,可以實(shí)時(shí)測量蒸發(fā)的速度和厚度,帶有 PID 控制功能, 可通過膜厚儀自動(dòng)控制蒸鍍速率。
◆樣品臺(tái):可容納樣品最大尺寸,6 英寸樣品托一個(gè) , 配擋板,轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 采用基片臺(tái)背板直接水冷形式;基片采用無氧銅,水冷不控溫。
◆控制單元:15 英寸觸摸屏 +PLC 控制
選擇配置:
◆樣品可加熱控溫,( 可選帶掩膜庫系統(tǒng)樣品臺(tái) ) 溫度范圍:室溫 -600℃,控溫精度 ±0.5℃;
◆電子槍可選用進(jìn)口知名品牌
◆離子束輔助沉積源
◆全量程真空計(jì) (Inficon)
系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置:
◆工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上
◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮?dú)?/span>
◆電 源 : 三相 380V, 50Hz, 63A
◆冷 凍 水 :18-25℃ , 6L/min,壓力 <0.4MPa