ISSP-SHF 單晶爐
本裝置由我公司和中國科學(xué)院材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合研制,由溫度控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和單晶爐爐體等部分組成。
主要實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1、制備金屬氧化物類單晶,如 SrMoO3 等;
2、制備氧化物高溫超導(dǎo)體,如釔鋇銅氧等;
3、制備非氧化物單晶,如單晶硅、單晶碳化硅等;
4、在 1550℃以下大氣、真空或氣氛保護(hù)下進(jìn)行單晶生長、材料熱處理、固相反應(yīng)材料合成等。
主要技術(shù)特點(diǎn)
1、一機(jī)多用,可開設(shè)多個綜合性、研究性實(shí)驗(yàn):既可制備氧化物類單晶,又可制備非氧化物類或厭氧類單晶,具有很高的性能價格比;
2、采用特殊的做爐膛保溫材料,具有密度小,保溫性能好等特點(diǎn);
3、采用抽真空結(jié)合保護(hù)氣氛,既可以抽真空,又可以通入不同的氣體;
4、溫度采用程序控制,實(shí)現(xiàn)智能化,最高溫度可達(dá):1550℃;溫度梯度:約 5℃ /cm。
主要技術(shù)參數(shù)
1、電源 AC 220V50/60Hz;額定功率:5kW;
2、爐膛尺寸:Φ185mm×185mm;加熱區(qū)尺寸:150mm;
3、溫度控制范圍:100 ~ 1600℃,控制精度 :±1℃,升溫速率:10℃ /min;
4、報(bào)警保護(hù):上、下限,正、負(fù)偏差 , 斷偶等報(bào)警;
5、進(jìn)氣系統(tǒng):一路質(zhì)量流量控制器。