Table PVD-10 磁控濺射系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域:
本裝置是磁控濺射鍍膜系統(tǒng),該系統(tǒng)兼容直流和射頻濺射源,可濺射金屬、非金屬及化合物薄膜 ( 如:ITO) 等;廣泛應(yīng)用于科研院所、實(shí)驗(yàn)室制備單層或多層薄膜,以及新材料、新工藝研究。 本裝置系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊,系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)可擴(kuò)展性高,在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下,進(jìn)一步優(yōu)化您的實(shí)驗(yàn)室利用空間;適合擺放于工作臺面上。
基本配置:
◆真空腔室:Φ250 mm(ID) x 250 mm(H)
◆真空系統(tǒng):機(jī)械泵 + 分子泵兩級真空系統(tǒng) 前級泵:VRD-16 機(jī)械泵,抽速:4L/S ;主抽泵:分子泵,抽氣速率:300L/S 主抽閥:CC-100 超高真空手動插板閥, 可調(diào)節(jié)分子泵抽速,有利于穩(wěn)定工藝氣壓。
◆極限真空:<5×10-5Pa
◆恢復(fù)真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min)
◆真空測量:“兩低一高” 數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)
◆濺 射 源:最多 2×2 英寸磁控靶
◆濺射電源:直流 (500W ) 一臺(標(biāo)配)
◆進(jìn)氣系統(tǒng):一路 MFC 控制的工藝氣路(Ar)
◆樣品臺:可容納樣品最大尺寸:3 英寸樣品托一個(gè) , 配擋板,轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 樣品可加熱控溫, 溫度范圍:室溫 -300℃,控溫精度 ±0.5℃;
◆系統(tǒng)控制:10 英寸觸摸屏 +PLC 控制
選擇配置:
◆樣品臺可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控溫
◆全量程真空計(jì)( Inficon)
◆電容式隔膜真空計(jì) ( 測量濺射工作壓力 )
◆射頻電源(RF)300W(可選)
系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置:
◆工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上
◆工藝氣體(Ar) ◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮?dú)?/span>
◆電 源 : 單相 220V , 50Hz, 16A
◆冷 凍 水 :18-25℃ , 1L/min,壓力 < 0.4MPa